виникає за наявності напруги між затвором та стоком, змінює електропровідність каналу, а отже, і струм через канал. Це керувальне електричне поле направлене перпенди-кулярно до руху носіїв у каналі, тобто є поперечним. Воно формується і змінюється малопотужними інформаційними сигналами. Носії в каналі рухаються від витоку до стоку під дією поздовжнього електричного поля, створюваного між стоком та витоком, при підключенні зовнішнього по-тужного джерела живлення. Таким чином, ПТ, як і БТ, за рахунок майже безінерційної зміни провідністі дозволяють керувати потужністю від джерела енергії в навантаження, тобто реалізувати принцип реле .
У більшості структур ПТ канал являє собою слаболегований тонкий шар, розташований або безпосередньо біля поверхні напівпроводникового кристала, або ж на деякій відстані від його поверхні паралельно їй. Отже, носії рухаються уздовж поверхні. Витік і стік зазвичай - це сильнолеговані ділянки п+ або р+.
У ПТ з ізольованим затвором між металевим затвором і каналом зна-ходиться прошарок діелектрика так, що утворюється структура метал-дієлектрік - напівпровідник. Тому такі транзистори називають МДН-транзисторами. Напівпровідником для ПТ з ізольованим затвором здебіль-шого є кремній. Як діелектрик під затвором використовують переважно шар оксиду кремнію Si02. У такому разі це структура метал - оксид -напівпровідник. Такі транзистори називають МОН-транзисторами; поши-ренішою є загальна назва - МДН-транзистори. Поперечне електричне поле в цих транзисторах проникає через тонкий шар діелектрика і моду-лює концентрацію носіїв заряду в каналі. Створені два різновиди МДН-транзисторів: з індукованим каналом та з вбудованим каналом.
У ПТ з керувальним електричним переходом створюється випрямний контакт, на який в робочому режимі подається зворотна напруга. Вона змінює товщину збідненого шару і таким чином керує поперечним пере-різом провідного каналу та числом носіїв зарядів, що переміщуються від витоку до стоку, а отже, струмом і провідністю ПТ.
Як випрямний електричний контакт у таких ПТ може використовува-тися p-n-перехід, гетероперехід або випрямний перехід Шотткі. Пошире-нішими є ПТ з клерувальними р-п-перуходами та з бар 'ерами Шотткі.
Польові транзистори розрізняють також за типом провідності каналу: транзистори з р-каиалом і транзистори з п-каналом.
Характерним для всіх ПТ є дуже малий струм у колі затвора, оскільки затвор може бути або ізольованим або ж утворювати з каналом випрям-ний перехід, що вмикається у зворотному напрямі. Затвор в електронних схемах зазвичай є вхідним електродом, а тому ПТ мають високий опір за постійним струмом (понад 10s... 10і0 Ом). У цьому полягає найважливіша відмінність ПТ від БТ, у вхідному колі яких протікає значний струм при прямій напрузі на емітерному переході, зумовлюючи тим самим дуже малий вхідний опір БТ (десятки - сотні омів у схемах із СБ і СЕ). Тому інколи кажуть, що ПТ - це прилад, що керується напругою (електричним полем), а БТ прилад, що керується струмом.