Початкова ділянка ВАХ вирізняється значною нелінійністю, оскільки зі збільшенням UF опір запірного шару зменшується, крутість ВАХ збіль-шується. Але, якщо напруги досягають десятих часток вольта, запірний шар практично зникає.

У реальних діодах, як і в ЕДП з підвищенням зво-ротної напруги зворотний струм не залишається постійним і не дорівнює струму екстракції (насичення) І0, як випливає із співвідношення (3.1), а по-вільно зростає. Однією з причин цього зростання є термічна генерація носіїв заряду в переході. З підвищенням зворотної напруги внаслідок розширення переходу збільшується його об'єм, і тому зростає число генерованих в пе-реході носіїв заряду і термострум переходу /т. Ще однією складовою зрос-тання зворотного струму діода є поверхнева провідність ЕДП, що зумовлює поверхневий струм /п. Тоді повний зворотний струм реального НД

IR = I0 + Iт + In.

З порівняння ВАХ кремнієвого і германієвого діодів видно, що крем-нієві прилади мають істотно менше значення зворотного струму (у 106 разів) через нижчу концентрацію носіїв заряду. Це зумовлено біль-шою шириною забороненої зони.

Параметри напівпровідникових діодів

Напівпровідникові прилади оцінюють системою параметрів, які поді-ляють на граничні параметри, що визначають гранично допустимі зна-чення (максимально і мінімально допустимі значення), та характеристич-ні (робочі) параметри

задовільна робота приладу, а гранично допустиме - значення, за ме-жами якого прилад може бути ушкодженим або виведеним з ладу.

Характеричні значення параметрів - це значення електричної, тепло-вої, механічної або іншої величин, які характеризують певні властивості приладу.

Використовуючи НД, не можна допускати занадто великих напруг або струмів, які могли б зіпсувати прилад. Макси-мально допустимими параметрами називають значення конкретних ре-жимів електронних приладів, які не повинні бути перевищені за будь-яких умов експлуатації та за яких забезпечується задана надійність. Зазвичай значення цих параметрів, взяті з паспортних даних конкрет-ного типу приладів, мають перевищувати максимальне значення відпо-відних параметрів в електричній схемі, в якій передбачено використан-ня приладу.

Для будь-якого елемента електричної схеми небажаним є його нагрі-вання, зумовлене потужністю розсіювання приладу. Розрізняють пряму потужність розсіювання діода PF (значення потужності, що розсіюється діодом під час проходження прямого струму) та зворотну потужність розсіювання PR (значення потужності, що розсіюється діодом під час проходження зворотного струму). За цим параметром визначають зону безпечної роботи приладу, у будь-якій точці якої повинно виконуватися співвідношення IU = Р < Рmax. Здатність діодів розсіювати потужність оцінюють за допомогою теплового опору.

Аналізуючи електричні схеми з НД, використовують диференціальні параметри. Такими параметрами електронних приладів є величини, які зв'язують малі зміни струму з малими змінами незалежних змінних. Струм у діоді фактично є функцією двох незалежних змінних - електрич-ної напруги U і температури Т:

I=f(U;T).

Диференціальний опір діода г визначають відношенням малого при-росту напруги діода до малого приросту струму в ньому у заданому режимі.

Розглянуті параметри можна визначити за ВАХ діода (рис. 3.1). За-уважимо, що диференціальні параметри характеризують прилад тільки в заданій точці, а зі зміною режиму їхні значення істотно змінюються. У цій же точці визначають опір діода постійному струму

R_=UA/IA.

Максимально допустиме із схемотехнічних міркувань збільшення зво-ротного струму діода визначається максимально допустимою температу-рою НД (80... 100 0С - для германієвих приладів і 150...200 0С - для крем-нієвих приладів).

Мінімальна допустима температура діода визначається теоретично енергією іонізації акцепторних та донорних домішок і досягає мінус 200 0С. Практично з міркувань кліматичної стійкості її встановлюють від мі-нус 60 до мінус 70 0С.