складається з транзисторів ПНП і НПН

. з малюнка видно що пепеходи П1 і П3 є емітерними переходами цих транзисторів а перехід П2 працює в обох транзисторах як колекторний перехід, область бази транзистора Т1 одночасно є колекторною областю Т2, а область Т2 служить колекторною областю транзистора Т1. Фізичні процеси в тиристорі можна пояснити так при анявності тільки одного переходу П2 зміщиного у зворотному нарямі, через прилад протікавби невеликий зворотний струм обусловлиний неосновними носіями заряду, але як відомо у Т можна одержати великий колекторний струм Ікол, якщо в транзисторі з боку емітерного переходу інжектувати у великій кількості неосновних носіїв заряду, чим більша напруга на емітерному переході тим більше носіїв проникає до колекторного переходу і тим більший струм колектора. При цьому спад напруги на колекторному переході стає меншим оскільки при збільшинні концентрації носіїв заряду які проникають в колектоорний перехід, зменшується його опір і зростає спад напруги на навантажинні, включиного в коло колектора. Оскільки в тиристорі через переходи П1 і П3 зміщені в прямому напрямі, в області які примикають до переходу П2 інжектують основні носії заряд то опір переходу П2 зменшується.

ВАХ тиристора(С) показує що відбувається в ньому при збільшенні прекладеної напруги спочатку(ділення ОА) струм не великий і росте повільно у цьому режимі тиристор можна вважати замкненим на опір колекторного переходу П2 впливають два взаємно протележних процеси з одного боку підвищення зворотньої напруги на цьому переході збільшує його опір оскільки збільшується його ширина з іншого боку зростання прямих напруг на емітерних переходах П1 і П3 посилює інжекцію носіїв заряду в бази, збагачуючи перехід П2 і області які до нього примикають. Основними носіями заряду що зменшує його опір до точки А, перший процес переважає, і опір переходу П2 зменшується дуже повільно але при цьому поступово посилюється інший процес у точці А напрузі ввімкниня (Uввімкненя), внаслідок нагромадження великих зарядів біля переходу П2 зміщення на ньому стає прямим опір переходу різко зменшується і виникає лавинно подібний процес швидкого відімкненя тиристора (ділянка АВ). При цьому струм різко зростає і визначається в основному опром навантаження Rн ввімкненим послідовно з тиристором, напруга джерела живлення падає на навантаженні, і загальна напрпуга на відкритому тиристорі зазвичай неперевищує декількох вольт. (ділянка ВС) відповідає прямо зміщеним ПН переходам.

Перехід тиристора з непровідного стану в провідний можна викликати нетільки збільшенням зовнішньої напруги ай здопомогою додаткового керуючого електрода, підєднаного до однієї з областей бази. Змінюючи напругу на керуючому електроді, можна регулювати напругу ввімкненя тиристора, топто керувати роботою приладу. Основні властивості тріодного тиристорапоказані на

його ВАХ приведених для різних значень напруги на керуючому електроді Uбази, чим більша ця напруга тим сильніша інжекція носіїв від відповідного емітера до колекторного преходу і тим самим потрібна менша напруга на тиристорі для того щоб почався процес його відімкненя, при великій напрузі бази характеристика ТТ наближається до ВАХ прямо зміщеного ПН прееходу. ДТ і ТТ знайшли дуже широке застосування у схемах автоматики і радіоелектроніки, найпростішим прикладом використання ДТ(ТТ) в схемах генератора пило подібної напруги показаного на малюнку 10. Від джерела живлення Е через ризистор R0 порівняно повільно заряджається конденсатор С, поки анпруга на конденсаторі невелика тиристор перебуває в замкнутому стані

але коли ця напруга стає рівною напрузі ввімкненя тиристора конденсатор швидко розряджається через нього оскільки відімкнений тиристор має малий опір у кінці розряду кондинсатора струм через тирстор зменшується до значення утримуючого струму (Іутр) і итристор швидко закривається, після цього процес повторюється. Чим більше значення R0 С тим повільніше заряджається кондинсатор і тим нище частота пилко подібних імпульсів, якщо замісто ДТ використовувати ТТ то зміною напруги на кируючому єлектроді можна змінювати амплітуду цих імпульсів. Транзистори.

Транзистором називають перетворюючий НП прилад, який має неменше 3х виводів і придатний для підсилення потужності. При зворотному ввімкнині ПН переходу його провідність можназменшувати в широких межах шляхом інжекції (введення) в базу носіїв заряду з допомогою зовнішнього джерела. Цей спосіб використовується в біполярних(двополярних) транзисторах, анзва яких повязана з тим що вних використовуються носії заряду обох знаків. БТ є активними приладами і використовуються для підсилення генерування та перетворення форми електричних сигналів. Окрему групу транзисторів складають польові (канальні) а також одно перехідні транзистори (двох базові діоди).

Біполярні транзистори (БТ),Конструкція і принцип дії.

Основним елементи БТ є кристал НП в якому створені три обласі різного типу провідності, на малюнку 1 зображені транзистори ПНП і НПН типу, фізичні поцеси які відбуваються у транзисторах обох типів є аналогічними, різниця полягає тільки у знаку носіїв струму (електрони чи дірки) і полярності прикладиних напруг. Одна з крайніх областей Т яка називається ЕМІТЕРОМ лигується набагато сильніше ніж інші, її призначення є інжекція носіїв заряду в базу (область друга), крайня область називається КОЛЕКТОРОМ , вона має низьку питому єлектро ємність, її призначення є витягування (екстракція) носіїв заряду з базової області. Спільна для емітерного і колекторного ПН переходів область називається БАЗОЮ, концентрація домішок у базі набагато менша ніж в емітері і колекторі.