Ровенська 31. Пшениця м'яка. Різновидність лютес-ценс, пізньостиглий. Форма куща прямостояча, стебло міцне, тов-сте. Листки темно-зелені з сизим відтінком, широкі, не опушені. Колос циліндричний, солом'яно-білий, завдовжки 8— 10 см, щільний. Зернівка середньої крупності, напіввидовжена, червона, боріздка глибока. Маса 1000 зерен — 42,6—46,4 г. Урожайність — 57,8—64,1 ц/га. Стійкість проти виляган-ня — 4,6—4,8 бала. Ураження борошнистою росою — 4,7— 6,4 %. Рекомендований для Лісостепу і Полісся.

Біологічні особливості. Насіння пшениці проростає при температурі ґрунту 1—2 °С, але дружні сходи з'являються при 14—17 °С. При температурі понад 25 °С посилюється ураження насіння грибами, а корені утворюються тонкі, ослаблені. За достатньої вологості ґрунту і температурі 14— 20 °С сходи з'являються через сім-дев'ять днів після сівби.

Озима пшениця вибаглива до вологи. На формування одиниці маси сухої речовини вона витрачає 300—450 од. води (транспіраційний коефіцієнт). Протягом вегетації во-логість ґрунту на глибині залягання кореневої системи по-винна становити 65^—80 % НВ і не знижуватися до рівня вологості в'янення.

Високі врожаї формує, якщо в ґрунті міститься не менше 2 % гумусу і елементи мінерального живлення знаходяться в легкодоступних формах. На формування 1 ц зерна, за-лежно від сорту та умов вирощування, використовує з ґрунту азоту 2,5—3 кг, фосфору — 2,9—3 кг, калію — 1,3—1,6 кг. Кращі для пшениці — чорноземні, каштанові, сірі, темно-сірі лісові середньо суглинкові ґрунти з нейтральною реакцією ґрунтового розчину (рН 6—7,5). Погано росте на солонцю-ватих, кислих і важких ґрунтах, схильних до запливання.

Озима пшениця — холодостійка культура. У зимово-вес-няний період дуже реагує на перемінне відтавання і за-мерзання ґрунту, які часто призводять до її загибелі. Спо-стереження показують, що у безсніжні зими не гине навіть при температурі мінус 20 °С на глибині залягання вузла кущення, якщо похолодання настає поступово. Вимерзає при раптовому зниженні температури до мінус 16—18 °С, особ-ливо рано навесні, коли вдень температура підвищується до 5—10 °С, а вночі знижується. Під сніговим покривом 20 см рослини добре переносять зниження температури до мінус ЗО °С, а при товщому шарі снігу — навіть до мінус 40 °С. Це пояснюється тим, що температура ґрунту під снігом завжди на 12—15 °С вища, ніж температура повітря.

Інтенсивна технологія вирощування озимої пшениці перед-бачає такі вимоги: повне забезпечення рослин елементами живлення на запланований урожай, не менше 60 ц/га; забезпечення слабо кислої, або нейтральної реакції ґрунтового розчину; проведення основного обробітку ґрунту не пізніше, як за 25 днів до сівби; сівбу в оптимальні строки, з ут-воренням технологічної колії для догляду за посівами; норма висіву повинна забезпечувати на час збирання 500—600 продуктивних стебел на 1 м2; внесення азотних добрив у три-чотири прийоми; застосування високоефективних пести-цидів для обробки насіння і рослин під час вегетації; за-стосування регуляторів росту в один або два прийоми; зби-рання врожаю за п'ять-сім днів після настання повної стиг-лості на конкретному полі.

Місце в сівозміні. Озима пшениця порівняно з іншими озимими та ярими культурами найвибагливіша до поперед-ників. Цінність їх виражається рівнем використання ними вологи і поживних речовин з ґрунту, а також фітосанітарним та фізичним станом орного шару. Особливе значення ці фактори мають для одержання високої польової схожості, доброго розвитку кореневої системи і надземної маси з осені. При .розміщенні пшениці в сівозміні важливе значення має питома вага зернових.

Обробіток ґрунту перед сівбою. При підготовці ґрунту під озимі, які вирощуватимуть за інтенсивною технологією, слід забезпечити виконання всіх агротехнічних заходів боротьби з бур'янами, зберегти і поповнити запаси вологи, створити оптимальну будову орного шару. Все це поліпшує пророс-тання насіння і осінній розвиток озимих.

Після багаторічних трав, які збирають за два укоси, перший поверхневий обробіток проводять добре відрегульо-ваними дисковими лущильниками ЛДГ-5, ЛДГ-10, ЛДГ-15, дисковими важкими боронами у двох протилежних напрямках не пізніше, як за ЗО—35 днів до сівби. На поверхні ґрунту в результаті такого обробітку утворюється мульчуючи й шар завтовшки 8—12 см з добре подрібненими післяжнивними й кореневими рештками. Своєчасно і якісно проведене лу-щення зменшує загальну забур'яненість до ЗО—40 %. При виконанні цієї операції дисковими знаряддями знищується на ЗО—32 % коренепаросткових бур'янів, корпусними — 72 %, а із застосуванням дискових, а відтак корпусних,— на 80—90 %.

Після лущення вносять вапно і перемішують його з ґрунтом за допомогою культиваторів КПС-4, КПГ-4. Орють добре відрегульованими плугами з передплужниками ШШ-3-35, ШІН-5-35, ШІН-6-35 і не пізніше, як за 25 днів до сівби на кожному конкретному полі. Оранку на дерново-підзолистих ґрунтах проводять на глибину орного шару, але не глибше 22—25 см, а на чорноземах опідзолених — на 25—27 см. І Під час оранки вносять органічні й мінеральні добрива. Після осанки поверхню доводять до посівного стану паро-вими культиваторами КПС-4, КПГ-4 в агрегаті із зубовими боронами, коткують широкозахватними агрегатами ЗККШ-6 | на зчіпці СП-11, або обробляють агрегатами РВК-3, РВК-3,6, 1 У до посівний період в міру випадання дощів і проростання бур'янів проводять першу, більш глибоку культивацію на 8—10 см в агрегаті з боронами, а наступні — на 5—6 см» При настанні оптимальних строків сівби передпосівну куль-тивацію проводять на глибину 4—5 см культиваторами УСМК-5,4 у два сліди з повним комплектом робочих органів, які додаються до них для передпосівного обробітку ґрунту, як і під цукрові буряки. Цю операцію проводять одночасно із сівбою, як єдиний технологічний процес. Після парозаймаючих (однорічних трав і кукурудзи