Таблиця 2

ФРН | 5000

Wacker Multicristaline Silicon | 5000

Італія | 1000

МЕМС | 1000

Японія | 7100

Tokuyama | 4800

Mitsubishi Materials | 1600

Sumitomo Titanium | 700

США | 14400

Hemlock Semiconductors | 6100

МЕМС | 2700

Advanced Silicon Materials | 2400

Solar Grade Silicon | 2000

Mitsubishi Multicristaline Silicon | 1200

Всього | 27500

Структура виробництва полікристалічного кремнію в 2003 р.

(за даними Rare Metal News), тонн

Таблиця 3

Країни продуценти | I | II | III

США | 11850 | 7850 | 4000

Advanced Silicon Materials | 2150 | 2150–

Hemlock Semiconductors | 5300 | 3300 | 200

МЕМС | 1500 | 1500–

Mitsubishi Polusilicon | 1000 | 900 | 100

СП «SGS-ASiМ» | 1900– | 1900

Японія | 6100 | 4900 | 1200

Тokuyama | 4000 | 3000 | 1000

Mitsubishi Materials Silicon | 1400 | 1200 | 200

Sumitomo Titanium | 700 | 700–

ФРН | 4200 | 2600 | 1600

Wacker Siltronics | 4200 | 2600 | 1600

Італія | 1000 | 1000–

МЕМС | 1000 | 1000–

Всього | 23150 | 16350 | 6800

Примітка: І – полікремній в цілому

II –полікремній напівпровідникового сорту

III – полікремній для сонячних батарей

Світові виробничі потужності по випуску полікристалічного кремнію в 2003 р., за оцінкою, залишилися на рівні 2002 р. в кількості 26700 т/год, проте в середині 2004 р. німецька компанія Wacker Siltronics планує рас поширювати потужності на 1000 т/год. В 2003 р. світові потужності як і раніше перевершували рівень виробництва, але прогнозується, що до 2005 р. ринок збалансує. Майже всі світові продуценти даного товару припускають підвищити його випуск зважаючи на очікуване подвоєння попиту на полікремній напівпровідникового сорту, а також зростання попиту на матеріал для сонячних батарей.

Компанія Advanced Silicon Materials (ASiM) планує збільшити виробництво полікристалічного кремнію в 2004г. на 16  % – до 2500 т з 2150 т в 2003  р. Об'єм її поставок до Японії повинен був досягти 1100  т. Hemlock Semiconductors чекає, що її виробництво полікристалічного кремнію в 2004  р. зросте, але не повідомляє конкретні цифри. Прогнозувалося, що в 2003 р. компанія випустить 3300 т матеріалу напівпровідникового сорту і 2000 т матеріалу для сонячних батарей. Виробництво Mitsubishi Materials Polysilicon на підприємстві в Японії, за оцінкою, збереглося в 2003 р. СП «SGS» створено компанією ASiM (США) і Silicon Technology (Норвегія). СП «SGS» в США випускає полікристалічний кремній, призначений тільки для виробництва сонячних батарей. Виробництво полікремнію СП «SGS» в 2003 р. оцінюється в 1900 т.

Компанія Тokuyama розробляє новий технологічний процес виробництва полікремнію для сонячних батарей, який випробовується на досвідченому заводі з 2002 р. В 2005 р. – 2006 р. може початися його використовування в комерційних масштабах. Компанія прогнозує, що в найближчі п'ять років попит на матеріал напівпровідникового сорту підвищуватиметься на 7,5 % в рік, а на матеріал для сонячних батарей – на 15 %. В даний час виробничі потужності Тokuyama складають 4800 тонн в рік. Виробництво монокристалічного кремнію в Японії збільшилося в I півріччі 2003 р. по порівнянню а відповідним періодом 2002 р. на 5 % – до 2266 тонн. Японський імпорт полікремнію виріс в січні-червні 2003 р. на 42 % – до 3331 т, при цьому зростання постановок із США (до 2289 т) було обумовлено підвищенням попиту на матеріал напівпровідникового сорту, а удвоєння відвантажень з Європи – зростанням попиту на матеріал для сонячних батарей.

Очікується, що в 2004 р. світовий ринок полікристалічного кремнію буде збалансованим, але якщо темпи зростання попиту на даний матеріал досягнуть рівня 10 % в рік, то в 2005 р. може виникнути брак його поставок.

На японському ринку ціна на полікристалічний кремній напівпровідникового сорту, випущений національними компаніями, знизилися з 4800-5000 ієн/кг в 2003 р. до 4500-4750 ієн/кг на початку 2004 р. Проте ціни на імпортний матеріал був вищим і складали 40-45 $/кг, причому очікувалося їх зростання. Ціни на полікристалічний кремній для сонячних батарей на початку року зберігалися на рівні 25-28 $/кг, але продуценти прогнозували їх зростання на 11-12 % зважаючи на підвищення попиту на даний товар, а також унаслідок подорожчання сировини і підвищення витрат виробництва.

Розширяються також потужності по виробництву кремнієвих пластин. В 2004 р., за прогнозом «Silicon Manufacturing Group SEMI», очікується різке зростання попиту на дані матеріали зважаючи на розширення ринок споживацьких електронних товарів і підйому в економіці США.

На думку західних аналітиків, в найближчі роки повинно бути розв'язаний проблему все зростаючої вартості кремнію. Координацію робіт за проектом розробки нових технологічних процесів отримання полікристалічного кремнію здійснюється SEMI (Semiconductor Equipment Materials International) – міжнародною промисловою асоціацією, об'єднуючою близько 2500 фірм – виробників устаткування і матеріалів для напівпровідникової промисловості. Необхідно знайти метод, який виключить потребу в надзвичайно енергоємному виробництві полікремнію методом хімічного осадження з парової фази (CVG). Одночасно новий метод повинен виключити неймовірно складний процес вирощування монокристалів кремнію з подальшим процесом розділення їх на пластини, що супроводиться величезними втратами у виході годних.

3.4.2. Ринковий потенціал

На відміну від ринку напівпровідникових приладів, який схильний коливанням, ринок фотоелектричних пристроїв (ФЕУ) стабільно росте з 1990 р.

Виробництво ФЕУ в світі щорічно збільшується більш ніж на 30 %, в 2001 р. приріст склав 38 %. В 2002 г загальна потужність ФЕУ в світі склала 1328 МВт. На Японію зараз доводиться 46 % потужностей всіх ФЕУ в світі, на Німеччину –20 %, на США –17 %, Австралію –3,4 %, Нідерланди –2,08 %, Італію –2,02 %, Швейцарію –1,28 %, Іспанію –1,5 %.

В 2004 г попит на ФЕУ в світі може вирости на 50 %, як і в 2003 р. Регулятором попиту є ціни. В Німеччині з 1991 р. подешевшали на 60 %. На світовому ринку частка продукції Німеччини зберігається на рівні 22 %. Причина стагнації німецького експорту