Як і в наш час, коли в Радянському Союзі кібер-нетику вважали спочатку псевдонаукою, так і в 20-і роки погляди О.М. Щукарьова, окрім доброзичли-вого відношення, оцінювалися деякими вченими різко негативно. Так професор І.Є.Орлов у 1926 р. на сторінках журналу "Під прапором марксизму" написав: "Претензії професора Щукарьова, який представляє шкільний посібник Джевонса як "мис-лячий" апарат, а також наївне враження його слу-хачів, - усе це не позбавлене деякого комізму... Нас хочуть переконати у формальному характері мис-лення, у можливості його механізації".

До честі журналу - його редакція не погодилася з поглядами автора статті.

Останню лекцію у Харкові О.М. Щукарьов про-чив у кінці 20-х років, а свою машину він передав Харківському університету на кафедру математи-ки. Надалі слід її загубився.

В історії розвитку інформаційних технологій в Україні ім'я професора Щукарьова пов'язане з ва-жливим кроком у галузі засобів обробки інформа-ції - розумінням та активною пропагандою важли-вості й можливості механізації (у подальшому авто-матизації) формальних сторін логічного мислення.

У ХУ-ХІХ ст. і на початку XX ст., тобто більше 400 років, винахідники обчислювальних засобів використовували десяткову систему числення. Для представлення цифр використовувалося коле-со з десятьма зубцями, а чисел - набір таких коліс. Саме так у ХVII ст. були створені найпростіші при-строї для сумування, віднімання і множення чисел (машини Паскаля і Лейбніця), у яких використо-вувалося від 8 до 13 коліс. У ХVIII ст. Чарльз Беббідж спроектував і частково побудував "аналітич-ну машину" - першу цифрову обчислювальну ма-шину з програмним управлінням, у якій арифме-тичний пристрій і пам'ять були спроектовані на основі зубчастих коліс, кількість яких перевищу-вала 50 тис.

У середині XX ст. з переходом від десяткової до двійкової системи числення замість зубчастих коліс почали використовувати електромагнітні реле, еле-ктронні лампи та ферритові сердечники. Скоро на зміну їм прийшли транзистори, які вдосконалюю-чись, перетворились у інтегральні схеми, що місти-ли спочатку тисячі, а згодом мільйони компонентів.

За п'ятдесят років використання транзисторів у них не з'явилося серйозних конкурентів. Природно задати запитання, хто був першовідкривачем фізич-них ефектів, покладених в основу транзистора. Щоб відповісти, розкриємо ще одну "білу пляму" в істо-рії розвитку ІТ в Україні. Вона пов'язана з іменем та діяльністю видатного українського фізика Вадима Євгеновича Лашкарьова (1903-1974). Він по праву повинен був би увійти до групи американських уче-них (Джон Бардін, Вільям Шоклі, Уотер Браттейн), які в 1956 р. були удостоєні Нобелівської премії з фізики за відкриття транзисторного ефекту.

Ще в 1941 р. В.Є. Ла-шкарьов опублікував статтю "Дослідження за-пірних шарів методом термозонду" (Известия АН СССР, сер. физ., т. 5, 1941 г.) і у співавторстві з К.М. Косоноговою стат-тю "Вплив домішок на вентильний фотоефект у закислі міді" (там же). Він установив, що обидві сторони "запірного ша-ру", розміщеного парале-льно границі розділу мідь - закисел міді, ма-ють протилежні знаки носіїв струму. Згодом це яви-ще отримало назву p-n переходу (р – від pozitive, n — від negative). Ним же "був розкритий механізм інже-кції—дуже важливого явища, на основі якого діють напівпровідникові діоди та транзистори" (Н.Н. Боголюбов й др. Памяти Вадима Евгеньевича Лашкарева, Успехи физических наук, т. 117, вып. 2, с. 377-378, 1975г.).

Перше повідомлення в американській пресі про появу напівпровідникового підсилювача-транзис-тора з'явилося в липні 1948 г., через сім років піс-ля статті Лашкарьова. Його винахідники амери-канські вчені Бардін та Браттейн пішли по шляху створення так званого точкого транзистора на базі кристалу германію n типу. Перший обнадійливий результат був одержаний ними в кінці 1947 р. Про-те прилад вів себе нестало, його характеристики вирізнялись непередбачуваністю, і тому практич-ного використання точковий транзистор не отри-мав. У 1951 р. у США з'явився більш надійний площинний транзистор n-p-n типу. Його створив Шоклі. Транзистор складався із трьох шарів гер-манію n, p і n типу, загальною товщиною 1 см і був зовсім не схожий на пізніші мініатюрні, а з часом і невидимі оку компоненти інтегральних схем.

Уже через кілька років значимість винаходу американських учених стала очевидною, і вони бу-ли відзначені Нобелівською премією. Можливо, що розпочата "холодна війна" або існуюча тоді "заліз-на завіса" завадили добавити ще одного лауреата - В.Є. Лашкарьова. Його інтерес до напівпровідників не був випадковим. Починаючи з 1939 р. і до кінця життя, він послідовно й результативно займався дослідженням їх фізичних властивостей. Після двох перших робіт у 1950 р. він і В.І.Ляшенко опу-блікували статтю "Електронні стани на поверхні напівпровідників" (Ювілейний збірник до 70-річчя А.Ф. Іоффе, 1950 р.), у якій описали результати до-сліджень поверхневих явищ у напівпровідниках, покладені в подальшому в основу роботи інтеграль-них схем на базі польових транзисторів.

Під його керівництвом на початку 50-х років в Інституті фізики НАН України було організовано виробництво точкових транзисторів. Сформована В.Є. Лашкарьовим наукова школа в галузі фізики напівпровідників стала однією з провідних у Ра-дянському Союзі. Визнанням значимості її науко-вих результатів стало створення в 1960 р. Інститу-ту напівпровідників НАН України, директором якого був призначений В.Є. Лашкарьов.

Учений народився і одержав вищу освіту в Киє-ві, потім працював у Ленінграді. На жаль, перші роки його творчої діяльності