Таблиця 1.1

Популярні мікросхеми EPROM

Мікросхема і організація | Корпус | Рис. | Примітка

2716-2Кх8 | DIP-24 | 1, а | 20- ОЕ#; 21- Vpp

2732-4Кх8 | DIP-24 | 1, а | 20- OE#/Vpp, 21-A11

2764-8Кх8 | DІP-28 | 1, б | 1- Vpp, 22=OE#; 26-NC, 27-PGM#

27128-16Кх8 | DIP-28 | 1, б | 1- Vpp, 22-OE#; 26-A13, 27-PGM#

27256-32Кх8 | DIP-28 | 1, б | 1- Vpp, 22-ОЕ#; 26-А13, 27-A14

27512-64Кх8 | DIP-28 | 1, б | 1- A15, 22-OE#/Vpp, 26-A13, 27-A14

27010-128Кх8 | DIP-32 | 1, е | 30- NC

27010-128Кх8 | TSOP-32 | 2, а | 6- NC

27010-128Кх8 | PLCC-32 | 2, б | 30- NC

27020-256Кх8 | DIP-32 | 1, е—

27020-256Кх8 | TSOP-32 | 2, а—

27020-256Кх8 | PLCC-32 | 2, б—

Рис. 1.1. Розташування виведення EPROM в корпусах DIP:

а – DIP-24, б – DIP-28, в – DIP-32

Рис. 1.2. Розташування виведення EPROM в корпусах TSOP і PLCC:

а – TSOP-32, б – PLCC-32

Призначення виведення EPROM наведене в табл. 1.2.

Відмітимо основні властивості EPROM:

Стирання інформації відбувається відразу для всієї мікросхеми під впливом опромінення і займає декілька хвилин. Стерті комірки мають одиничні значення всіх біт.

Запис може призначуватися будь-якою частиною мікросхеми побайтно, в межах байта можна маскувати запис окремих біт, встановлюючи їм одиничні значення даних.

Захист від запису здійснюється подачею низької (5 В) напруги на вхід Vpp в робочому режимі (тільки читання).

Захист від стирання проводиться шляхом заклеюванням вікна.

Таблиця 1.2

Призначення виведення EPROM

Сигнал | Призначення

СЕ# | Chip Enable – дозвіл доступу. Низький рівень дозволяє звернення до мікросхеми, високий рівень переводить мікросхему в режим зниженого споживання

ОЕ# | Output Enable – дозвіл вихідних буферів. Низький рівень при низькому рівні СЕ# дозволяє читання даних з мікросхеми. У деяких типів мікросхем на цей же висновок в режимі програмування подається напруження Vpp

DQx | Data Input/Output – двонапрямлені лінії шини даних. Час доступу при читанні відлічується від установки дійсної адреси або сигналу СЕ# (в залежності від того, що відбувається пізнє)

Ах | Address – вхідні лінії шини адреси. Лінія А9 допускає подачу високої (12 В) напруги для читання коду виробника (АТ-0) і пристрою (АТ-1), при цьому на інші адресні лінії подається логічний <0>

PGM# | Programm – імпульс програмування (деякі мікросхеми не мають цього сигналу, їх програмування здійснюється по сигналу СЕ# при високому рівні Vрр)

Vpp | Програмуюча напруга живлення (для деяких типів – імпульс)

VCC | Живлення (+5 В)

Пам'ять з електричним стиранням – EEPROM і флеш-пам'ять

Стирання мікросхем постійної пам'яті можливе і електричним способом. Однак цей процес вимагає значної витрати енергії, яка виражається в необхідності прикладення відносно високої напруги стирання (10-30 В) і тривалості імпульсу стирання більше за десяток мікросекунд. Інтерфейс традиційних мікросхем EEPROM мав тимчасову діаграму режиму запису з великою тривалістю імпульсу, що не дозволяло безпосередньо використати сигнал запису системної шини. Крім того, перед записом інформації в комірку звичайно було потрібне попереднє стирання, також досить тривале. Мікросхеми EEPROM відносно невеликого об'єму широко застосовуються як енергонезалежна пам'ять конфігурування різних адаптерів. Сучасні мікросхеми EEPROM мають більш складну внутрішню структуру, в яку входить керуючий автомат. Це дозволяє спростити зовнішній інтерфейс, роблячи можливим безпосереднє підключення до мікропроцесорної шини, і приховати специфічні (і непотрібні користувачеві) допоміжні операції типу стирання і верифікації.

Рис. 1.3. Флеш-пам'ять в оточенні традиційних видів пам'яті С-SRAM в комплекті з батареєю живлення)

Флеш-пам'ять по визначенню відноситься до класу EEPROM, але використовує особливу технологію побудови запам'ятовуючих комірок. Стирання у флеш-пам'яті проводиться відразу для цілої області комірок (блоками або повністю всієї мікросхеми). Це дозволяє істотно підвищити продуктивність в режимі запису (програмування). Флеш-пам'ять володіє поєднанням високої щільності пакування (її осередки на 30% менше осередків DRAM), енергонезалежного зберігання, електричного стирання і запису, низького споживання, високої надійності і невисокої вартості.

Сучасна флеш-пам'ять має час доступу при читанні 35-200 нс, існують версії з інтерфейсом динамічної пам'яті і синхронним інтерфейсом, що нагадує інтерфейс синхронної статичної пам'яті. Стирання інформації (поблочне і у всій мікросхемі) займає 1-2 секунди. Програмування (запис) байта займає час порядку 10 мкс, причому шинні цикли звернення до мікросхеми при записі – нормальні для процесора (не розтягнуті, як для EPROM і EEPROM).

Зведення про поширені мікросхеми флеш-пам'яті наведені в табл. 1.3.

Таблиця 3

Популярні мікросхеми флеш-пам'яті

Мікросхема | Організація | Корпус | Примітка

28F256 | 32Кх8 BE | DIP-32 | 2, 3, 30-NC

28F256 | 32Кх8 BE | PLCC-32 | 2, 3, 30-NC

2SF512 | 64Кх8 BE | DIP-32 | 2, 30-NC

28F512 | G4Kx8 BE | PLCC-32 | 2, 30-NC

2SF010 | 128Кх8 BE | DIP-32 | 30- NC

28F010 | 128Кх8 BE | PLCC-32 | 30- NC

28F010 | 128Кх8 BE | TSOP-32 | 6- NC

28F001 | 128Кх8 ВВ | DIP-32—

28F001 | 128Кх8 ВВ | PLCC-32—

28F001 | 128Кх8 ВВ | TSOP-32—

29ЕЕ010 29F010 | 128Кх8 SA | DIP-32 | 1, 30-NC

29ЕЕ010 29F010 | 128Кх8 SA | PLCC-32 | 1, 30-NC

29ЕЕ010, 29F010 | 128Кх8 SA | TSOP-32 | 6, 9-NC

28F020 | 25GKx8 BE | DIP-32 | 30- A17

28F020 | 256Кх8 BE | PLCC-32 | 30- A17

28F020 | 256Кх8 BE | TSOP-32 | 6- A17

28F002BX/BN/BL | 256Kx8 ВВ | TSOP-40 | 12, 13, 45-NC

28F002BE/BV | 256Кх8 ВВ | TSOP-40 | 13, 45-NC

28F004BX/BN/BL | 512Кх8 ВВ | TSOP-40 | 12, 45-NC

28F004BE/BV | 512Кх8 ВВ | TSOP-40 | 45- NC

28F008BE/BV | 1024Кх8 ВЕ | TSOP-40

Розділ 2. Великі