У МДП-транзисторах з вбудованим каналом провідний канал, який виготовляється технологічним шляхом, утворюється при напрузі на затворі рівній нулю. Струмом стоку можна управляти, змінюючи значення і полярність напруги між затвором і витоком. При деякій позитивній напрузі затвор – витік транзистора з р-каналом або негативній напрузі транзистора з n-каналом струм в ланцюзі стоку припиняється. Цю напругу називають напругою відсічення (UЗИ.отс). МДП-транзистор з вбудованим каналом може працювати як у режимі збагачення, так і в режимі збіднення каналу основними носіями заряду.

1.2. Схеми включення польового транзистора

Польовий транзистор як елемент схеми є активним несиметричним чотириполюсником, у якого один із затисків є загальним для ланцюгів входу і виходу. Залежно від того, який з електродів польового транзистора підключений до загального виведення, розрізняють схеми: із загальним витоком і входом затвор; із загальним стоком і входом на затвор; із загальним затвором і входом на витік. Схеми включення польового транзистора показані на рис. 1.3.

Рис. 1.. Схеми включення польового транзистора

За аналогією з ламповою електронікою, де за типову прийнята схема із загальним катодом, для польових транзисторів типовою є схема із загальним витоком.

Еквівалентна схема польового транзистора, елементи якої виражені через Y-параметри, наведена на рис. 1.4. При такому підключенні кожна з провідності має фізичний сенс.

Рис. 1.. Еквівалентна схема польового транзистора

1.3. Параметри польового транзистора

Вхідна провідність визначається провідністю ділянки затвор – витік
YЗИ. = Y11 + Y12; вихідна провідність – провідність ділянки стік – витік
YСИ = Y22 + Y21; функції передачі – крутизною вольт-амперної характеристики
S = Y21 – Y12; функція зворотної передачі – прохідною провідністю YЗС = Y12. Ці параметри застосовуються в якості первинних параметрів польового транзистора, використовуваного як чотириполюсник. Якщо первинні параметри чотири-полюсника для схем із загальним витоком визначені, то можна розрахувати параметри для будь-якої іншої схеми включення польового транзистора.

Початковий струм стоку IС.нач – струм стоку при напрузі між затвором і витоком, рівній нулю і напрузі на стоці, рівному або що перевищує напругу насичення. Залишковий струм стоку IС.ост – струм стоку при напрузі між затвором і витоком, що перевищує напругу відсічення. Струм витоку затвора IС.ут – струм затвора при заданій напрузі між затвором і рештою виведень, замкнених між собою. Зворотний струм переходу затвор – стік IЗСО – струм, протікаючий в ланцюзі затвор – стік при заданій зворотній напрузі між затвором і стоком і розімкненими рештою виведень. Зворотний струм переходу затвор – витік IЗИО – струм, протікаючий в ланцюзі затвор – витік при заданій зворотній напрузі між затвором і витоком і розімкненими рештою виведень.

Напруга відсічення польового транзистора UЗИ.отс – напруга між затвором і витоком транзистора з р-п переходом або ізольованим затвором, працюючого в режимі збіднення, при якому струм стоку досягає заданого низького значення. Порогова напруга польового транзистора UЗИ.пор – напруга між затвором і витоком транзистора з ізольованим затвором, працюючого в режимі збагачення, при якому струм стоку досягає заданого низького значення.

Крутизна характеристик польового транзистора S – відношення зміни струму стоку до зміни напруги на затворі при короткому замиканні по змінному струму на виході транзистора в схемі із загальним витоком.

Вхідна ємність польового транзистора С11и – ємність між затвором і витоком при короткому замиканні по змінному струму на виході в схемі із загальним витоком. Вихідна ємність польового транзистора С22и – ємність між стоком і витоком при короткому замиканні по змінному струму на вході в схемі із загальним витоком. Прохідна ємність польового транзистора C12и – ємність між затвором і стоком при короткому замиканні по змінному струму на вході в схемі із загальним витоком. Ємність затвор-стік СЗСО – ємність між затвором і стоком при розімкнених по змінному струму решті виведень. Ємність затвор-витік СЗИО ємність між затвором і витоком при розімкнених по змінному струму решті виведень.

Коефіцієнт посилення по потужності Кур – відношення потужності на виході польового транзистора до потужності на вході при певній частоті і схемі включення.

1.3.1. Частотні властивості

Частотні властивості польових транзисторів визначаються постійною часу RC – ланцюги затвора. Оскільки вхідна ємність С11и у транзисторів з
р-п-переходом велика (десятки пікофарад), їх застосування в підсилювальних каскадах з великим вхідним опором можливе в діапазоні частот, що не перевищують сотень кілогерц – одиниць мегагерц.

При роботі в перемикаючих схемах швидкість перемикання повністю визначається постійною часу RC – ланцюга затвора. У польових транзисторів з ізольованим затвором вхідна ємність значно менша, тому їх частотні властивості набагато кращі, ніж у польових транзисторів з р-п-переходом.

1.3.2. Шумові властивості

Шумові властивості польових транзисторів оцінюються коефіцієнтом шуму КШ, який мало залежить від напруги стік-витік, струму стоку і навколишньої температури (нижче 50° С) і монотонно зростає зі зменшенням частоти і внутрішнього опору джерела сигналу. Коефіцієнт шуму вимірюють в заданому режимі по постійному струму UСИ, IC на певній частоті.

Замість коефіцієнта шуму іноді вказують шумову напругу польового транзистора Uш – еквівалентна шумова напруга, приведена до входу, в смузі частот при певному повному опорі генератора в схемі із загальним витоком; шумовий струм Iш – еквівалентний шумовий струм, приведений до входу, при розімкненому вході в смузі частот у схемі із загальним витоком.

1.3.3. Теплові параметри

Теплові параметри польового