в липні 1948 г., через сім років піс-ля статті Лашкарьова. Його винахідники амери-канські вчені Бардін та Браттейн пішли по шляху створення так званого точкого транзистора на базі кристалу германію n типу. Перший обнадійливий результат був одержаний ними в кінці 1947 р. Про-те прилад вів себе нестало, його характеристики вирізнялись непередбачуваністю, і тому практич-ного використання точковий транзистор не отри-мав. У 1951 р. у США з'явився більш надійний площинний транзистор n-p-n типу. Його створив Шоклі. Транзистор складався із трьох шарів гер-манію n, p і n типу, загальною товщиною 1 см і був зовсім не схожий на пізніші мініатюрні, а з часом і невидимі оку компоненти інтегральних схем.
Уже через кілька років значимість винаходу американських учених стала очевидною, і вони бу-ли відзначені Нобелівською премією. Можливо, що розпочата "холодна війна" або існуюча тоді "заліз-на завіса" завадили добавити ще одного лауреата - В.Є. Лашкарьова. Його інтерес до напівпровідників не був випадковим. Починаючи з 1939 р. і до кінця життя, він послідовно й результативно займався дослідженням їх фізичних властивостей. Після двох перших робіт у 1950 р. він і В.І.Ляшенко опу-блікували статтю "Електронні стани на поверхні напівпровідників" (Ювілейний збірник до 70-річчя А.Ф. Іоффе, 1950 р.), у якій описали результати до-сліджень поверхневих явищ у напівпровідниках, покладені в подальшому в основу роботи інтеграль-них схем на базі польових транзисторів.
Під його керівництвом на початку 50-х років в Інституті фізики НАН України було організовано виробництво точкових транзисторів. Сформована В.Є. Лашкарьовим наукова школа в галузі фізики напівпровідників стала однією з провідних у Ра-дянському Союзі. Визнанням значимості її науко-вих результатів стало створення в 1960 р. Інститу-ту напівпровідників НАН України, директором якого був призначений В.Є. Лашкарьов.
Учений народився і одержав вищу освіту в Киє-ві, потім працював у Ленінграді. На жаль, перші роки його творчої діяльності співпали з роками репресій, що розпочалися з убивства Кірова в 1934 р. Він був заарештований і засланий до Архангельсь-ка, де завідував кафедрою фізики в медінституті до 1939 р. Наступні самі плодотворні 35 років свого життя він провів у Києві, залишивши після себе цілу плеяду учнів, які стали великими вченими і успішно продовжували розпочаті Лашкарьовим дослідження.
Підводячи підсумок, можна сказати, що В.Є. Ла-шкарьов є піонером інформаційних технологій в Україні, у бувшому Радянському Союзі в галузі тех-нології компонентів (транзисторної елементної ба-зи) засобів обчислювальної техніки. Цілком справе-дливо вважати його й одним з перших у світі осново-положників транзисторної мікроелектроніки.
Сергій Олексійович Лебедєв народився 2 листо-пада 1902 р. у Нижньому Новгороді в сім'ї вчителів. Закінчив у 1928 р. Вище технічне училище ім. Баумана в Москві, де й залишився працювати виклада-чем, а також став молодшим науковим співробітни-ком у Всесоюзному електротехнічному інституті.
Усе його творче життя ділиться на два періоди, перший пов'язаний з діяльністю в галузі енергети-ки, а другий - повністю відданий справі комп'ютеробудування: створення ЕОМ та налагодження їх серійного виробництва. Між цими двома періода-ми стоять п'ять років (1946-1951 рр.), проведених Лебедєвим у Києві, куди його запросили на посаду директора Інституту електротехніки НАН Украї-ни, і де згодом була створена перша ЕОМ.
У грудні 1976 р. відбулося засідання Вченої ради Інституту кібернетики НАН України, присвячене 25-річчю введення в регулярну експлуатацію пер-шої на континентальній частині Європи Малої еле-ктронної лічильної машини МЕСМ, створеної в Інс-титуті електротехніки НАН України під керівниц-твом Сергія Олексійовича Лебедєва (1902-1974).
Виступаючи на засіданні, директор інституту академік В.М. Глушков так оцінив творчий вклад творця МЕСМ: "Незалежно від зарубіжних учених С.О. Лебедєв розробив принципи будови ЕОМ з програмою, що зберігається в пам'яті. Під його ке-рівництвом була створена перша на континенталь-ній частині Європи ЕОМ, за короткі строки були розв'язані важливі науково-технічні задачі, чим було покладено початок радянській школі програ-мування. Опис МЕСМ став першим підручником у країні з обчислювальної техніки. МЕСМ стала про-тотипом Великої електронної лічильної машини БЕСМ. Лабораторія С.О.Лебедєва стала організа-ційним зародком Обчислювального центру - зго-дом Інституту кібернетики НАН України.
Твердження В.М. Глушкова про те, що С.О. Ле-бедєв незалежно від учених Заходу розробив прин-ципи будови ЕОМ з програмою, що зберігається в пам'яті, являється принципово важливим. Саме збереження програми в оперативній пам'яті стало завершальним кроком у розвитку перших ЕОМ. На Заході цей крок пов'язується з Джоном фон Нейма-ном. Оскільки висловлення В.М. Глушкова підтвер-джується низкою архівних документів і спогадами людей, близьких до С.О. Лебедєва, можна ствер-джувати, що цей крок слід пов'язувати не лише з ім'ям Джона фон Неймана, але й С.О. Лебедєва.
Згідно протоколу №1 засідання закритої Вченої ради Інституту електротехніки та Інституту тепло-енергетики АН УРСР від 8 січня 1951 р. С.О. Лебе-дєв, відповідаючи на задані йому запитання після до-повіді про МЕСМ, сказав: "Я маю дані на 18 машин, розроблених американцями, ці дані носять характер реклами, без будь-яких відомостей, як машини побу-довані... Використати закордонний досвід важко, оскільки опубліковані відомості досить скупі".
У короткій записці, поданій до Ради з коорди-нації АН СРСР на початку 1957 р., С.О. Лебедєв констатує: "У 1948-1949 рр. мною були розроблені основні принципи будови подібних машин.
Ураховуючи їх виключне значення для народ-ного господарства, а також відсутність у Союзі якого-небудь досвіду їх побудови та експлуатації, я прийняв рішення якомога швидше створити ма-лу електронну лічильну машину, на якій можна було б досліджувати принципи будови, перевірити методику рішення окремих задач і накопичити ек-сплуатаційний досвід".
Не випадково абревіатура МЕСМ спочатку роз-шифровувалася як Модель електронної