Сполуки А2В6. Однією з перших робіт по високотемпературних дослідженнях в сульфіді кадмію була робота [66], в якій по вимірюваннях залежності електропровідності від тиску пари кадмію при T=920..1220 К була отримана залежність , де при Т=920 К і при Т=1220 К. Співставляючи ці результати з даними, отриманими методом вимірювання залежності коефіцієнта самодифузії від тиску пари металу, автори пояснили свої результати наявністю двозарядних акцепторів, які проявляють себе при . [67] вимірювали залежність коефіцієнта самодифузії від тиску пари халькогена і знайшли, що при великому тиску пари сірки дифузія кадмію відбувається через двозарядні його вакансії. [68] вимірювали високотемпературний ефект Холла при Т=970..1270 К в атмосфері пари кадмію і сірки в сульфіді кадмію, заздалегідь легованому донором – йодом – з метою отримання максимальної концентрації компенсуючих акцепторів згідно моделі самокомпенсації ([69]). Отримані результати автори змогли інтерпретувати наявністю комплексів, що складаються з двозарядного власного акцептора і домішкового донора. [70] легували сульфід кадмію потенційним акцептором – сріблом – і проводили високотемпературні вимірювання ефекта Холла в парах компонентів. Вони вважають, що домінуючі дефекти в легованому CdS можуть бути описані умовою електронейтральності , де – двозарядний власний донорний дефект.

[71] аналізує результати [70] і наводить нові дані, отримані методом самодифузії. Автор підтверджує вказану вище умову електронейтральності в тому випадку, якщо – величина, вельми типова для сполук А2В6.

Дослідження ЕПР в сульфіді кадмію дозволило ідентифікувати наявність вакансій кадмію. Taylor і ін. (1971) досліджували ЕПР в CdS, опроміненому нейтронами з дозою 3,5·1018 см-2. Вони зареєстрували п’ять ліній з відносними інтенсивностями 0,064; 0,33; 1; 0,33; 0,064. Оскільки для цих ліній g>2, то вони обумовлені акцепторним дефектом. Спіновий гамильтоніан описується при S=1/2, що свідчить про внесок ізотопів Cd111 і Cd113. Але з урахуванням ядерних моментів цих ізотопів слід чекати не п’яти ліній, а семи з відносними інтенсивностями 0,004; 0,072; 0,44; 1; 0,44; 0,072; 0,004. Автори пояснюють відсутність двох крайніх ліній в експериментально отриманих спектрах наявністю великих шумів. Ідентифікація спектрів дозволила зробити висновок, що вони обумовлені вакансією кадмію і діркою в одному з сусідніх вузлів сірки. Кутові вимірювання дозволили знайти, що дірка розташована на атомі сірки у напрямі осі с.

Дані про зарядність акцепторних дефектів в CdS отримані й іншими спектроскопічними вимірюваннями. Так, [72] вимірювали люмінесценцію при T=1,2 К. Наявність зеєманівського розщеплення в експерименті і співпаданні теоретичних розрахунків, проведених по методиці [73], з експериментом привело авторів до висновку про наявність двозарядних акцепторів в комплексі з донором. Оскільки для досліджень використовувалися монокристали, леговані донорною домішкою хлору, а згідно теорії автокомпенсації, хлор обумовлює виникнення власних акцепторних дефектів з концентрацією того ж порядку, що і концентрація введеної домішки, то можна припустити, що двозарядний акцептор комплексу – це власний акцептор. [74] вимірювали спектри Рамана в сульфіді кадмію, легованому хлором. По цих спектрах вдалося ідентифікувати положення хлора. Виявилось, що хлор знаходиться або в ізольованому стані, або в комплексі з вакансією кадмія . Двозарядний акцептор в CdS знайдений і по вимірюваннях методом спектроскопії глибоких рівнів ([75]).

У селеніді кадмію акцепторні дефекти досліджувалися як методом заморожених реакцій, так і методом високотемпературного ефекту Холла (або провідності). Метод заморожених реакцій для визначення залежності провідності від тиску пари селену застосували [76] і одержали для тиску >1 Па. [77] , користуючись тим же методом заморожених реакцій, одержали – результат, відмінний від попереднього нe тільки кількісно, але і якісно. [78] вимірювали залежність електропровідності від тиску пари селену при високих температуpax, тобто при рівновазі парової фази селену з кристалом, і отримали залежність з в інтервалі температур 775..1170 К. Вони роблять висновок, що як в атмосфері пари селену, так і в атмосфері пари кадмію домінуючими дефектуми є двократно йонізовані вакансії селену або міжвузловий кадмій, тобто дефекти донорного типу.

Представлені результати не дозволили визначити зарядність акцепторних дефектів. Така інформація була одержана [79] , які для проведення високотемпературних досліджень користувалися кристалами селеніду кадмію діркової провідності, одержані [80] . Вимірювання проводилися в інтервалі температур 600..1100 К п'ятизондовим методом. На рис. .7 представлені результати вимірювань, звідки видно, що при температурах T800 К нахил залежностей n~ змінюється від негативного до позитивного. Така залежність є доказом, що при Т<800 К провідність є дірковою, хоча холлівське вимірювання дає незмінно один і той же електронний тип провідності. Температурна залежність холлівської рухливості усуває суперечність між типом провідності і холлівськими вимірюваннями (рис. .8). З цього рисунка видно, що при пониженні температури провідність стає біполярною, отже, на знак холлівскої ЕРС починає сильно впливати відношення рухливостей електронів і дірок 15. За цими даними можна заключити, що при Т<800 К домінує діркова провідність, а показник =1/6. Записавши умову електронейтральності у вигляді:

(2.30)

і враховуючи, що при температурах Т>700 К комплекси донор – акцептор розпадаються (Nobel, 1959), можна знайти НРЕ, при якому спостерігається .

Єдиним НРЕ, відповідаючим даному числу, є умова р=2. При температурах Т>800 К переважає провідність n-типу і результати співпадають з даними [78], [77] .

Інших незалежних вимірювань, що дозволяють судити