GaP | 1258 | 1491 | 1700 | 443 | 525 | 647 | 886 | 1050 | 1294

GaAs | 1146 | 1360 | 372 | 440 | 542 | 744 | 880 | 1084

GaSb | 988 | 285 | 338 | 416 | 570 | 676 | 832

InP | 925 | 1097 | 1241 | 316 | 375 | 462 | 632 | 750 | 924

InAs | 1020 | 1210 | 300 | 356 | 439 | 600 | 712 | 87S

InSb | - | 237 | 281 | 346 | 474 | 562 | 692

ZnO | 1803 | 680 | 807 | 993 | 1360 | 1614 | -

ZnS | 1526 | 1810 | 2111 | 585 | 694 | 855 | 1170 | 1388 | 1710

ZnSe | 1364 | 1632 | 506 | 600 | 739 | 1012 | 1200 | 1478

ZnTe | 835 | 990 | 1219 | 427 | 506 | 624 | 854 | 1012 | 1248

CdS | 1360 | 1613 | 482 | 572 | 704 | 964 | 1144 | 1408

CdSe | 1289 | 459 | 544 | 670 | 918 | 1088 | 1340

CdTe | 1162 | 380 | 450 | 554 | 760 | 900 | 1108

Примітка: температура розпаду не вказана для випадків, коли вона перевищує температуру плавлення сполуки.

[132] приводять наступний розрахунок функції розподілу пар в випадку кулонівської взаємодії її компонентів залежно від відстані між її атомами. Вірогідність G/(r) знаходження донора між і пропорційна концентрації донорів NM, величині і буде рівна:

. (2,33)

Записавши вірогідність G" невиявлення інших донорів всередині сфери радіусу як:

(2,34)

і, узявши похідну цих двох вірогідностей, одержимо вираз функції розподілу пар:

, (2.35)

де С* — нормований множник.

Мінімум цього розподілу знаходиться при:

, (2.36)

а вигляд розподілу представлений на рис. .13. Звідси витікає, що дійсно зв'язані пари знаходяться тільки при <, а інші пари випадкові і їх утворення не пов'язане з кулонівською взаємодією. В якості ілюстрації представлений розподіл кулонівських пар для GaAs в випадку утворення комплекса типу ()/ при температурі відпалу дефектів Т=1000 К <27 ? для однократно йонізованого комплекса, то форма розподілу пар, що складаються з найближчих дефектів, не залежить від концентрації донорів.

Рис. .13. Залежність функції розподілу пар від відстані між дефектуми, що становлять комплекс |

Рис. .14. Розподіл кулонівських пар комплекса дефектів () від відстані між дефектуми в арсеніді галію при температурі гартування дефектів 1000 К

З рис. .14 виходить, що найбільшу ймовірність утворення пар мають дефекти, що знаходяться в найближчих вузлах, і що концентрація дефектів другої координаційної сфери в 47 раз менша в порівнянні з їх концентрацією в першій.

З табл. .10 видно, що нейтральні комплекси, що складаються з власних дефектів в сусідніх вузлах і створюючі бівакансію, слабо розпадаються, а йонізовані комплекси взагалі не розпадаються при температурах, що не приводять до руйнування кристала. Абсолютно інша картина спостерігається для комплексів, що утворюються тільки за рахунок кулонівської взаємодії. Наприклад, в арсеніді галію, легованого телуром з концентрацією 1017 см-3, в випадку утворення нейтральних або однозарядних комплексів дефектів, що складаються з вакансій галію і атомів телура у вузлах миш'яку, перший тип дефектів розпадатиметься при T>440 К, а другий – при T>880 К.

ВИСНОВКИ

Зроблений докладний огляд структури власних і домішкових точкових дефектів у напівпровідниках. Розглянуто розупорядкування за Шотткі, за Френкелем, антиструктурне розупорядкування, а також утворення комплексів дефектів.

Описано вплив температури, легування, ширини області гомогенності на концентрацію дефектів. Наведено відомості про ентальпію утворення точкових дефектів, їх зарядність, енергію йонізації.

Проведено зіставлення теоретичних і експериментальних результатів по домінуючих типах дефектів.

ЛІТЕРАТУРА

Крегер И.С. и др. Электрические и люминесцентные свойства кристаллов теллурида кадмия, легированных кислородом // ФТП. – 1974. – Т. 8, вып. 2. – С. 317–320.

Крегер Р.А. и др. Исследование переходных процессов в рассеянии носителей заряда и зависимости подвижности от условий возбуждения методом фотоимпульс-ного эффекта Холла // Лит. физ. сб. – 1978. – Т. XVIII, № 2. – С. 231–242.

Brooks G.F. Acceptor action of alkali metals in II–VI compounds as detected by elecspin resonance techniques // J. Chem. Phys. – 1966. – Vol. 45, № 9. – P. 3178–3184.

Gilman J.J. Direct measurements of the surface energies of crystals // J. Appl. Phys. – 1960. – Vol. 31, № 12 – P. 2208–2218.

Jaccodine R.J. Surface energy of germanium and silicon // J. Electrochem. Soc. – 1963. – Vol. 110, № 6 – P. 524–527.

Harris J., Jones R.O. On the surface energy of a bounded electron gas // Phys. Lett. – 1974. – Vol. 46A, № 6. – P. 407–408.

Van Vechten J.A. Simple theoretical estimates of the Schottky constants and virtual–enof single vacancv formation in zinc–blende and wurtzite type semiconductors // J. Electrochem. Soc. – 1975 a. – Vol. 122, №3. – P. 419–422.

Welser K. Theory of solubility of interstitial impurities in germanium and silicon // J Phys. Chem. Solids. – 1960. – Vol. 17, № 112. – P. 149–161.

Weiser K. Ratio of interstitial to substitutional zinc in GeAs and its relation to zinc diffu// J. Appl. Phys. – 1963. – Vol. 34, № 11. – P. 3387–3393.

Van Vechten J.A. A simple man's view of the thermochemistry of semiconductors Handon Semiconductors / Ed. by T.