Baraff B.D., Schliiter Z. et al. Radiation defects in single crystals of zinc diphosphide // Ibid. – 1984. – Vol. 81, № 2. – P. K191–K193.

Puska M.J. et al. Electronic structure and positron states at vacancies in Si and GaAs // Phys. Rev. B. – 1986. – Vol. 34, № 4. – P. 2695–2705.

Wagner R.J. et al. Submillimetre EPR evidence for the As antisite defect in GaAs // Solid State Comm. – 1980. – Vol. 36, № 1. – P. 15–17.

Weber E.R. et al. Identification of AsGi antisites in plastically deformed GaAs // J. Appl. Phys. – 1982. – Vol. 53, № 9. – P. 6140–6143.

Bardeleben K.L., Bourgoin S.N. Nature of the self–activated blue luminescence center in cubic ZnS: Cl single crystals // Phys. Rev. – 1964. – Vol. 136, № 2A. – P. A541–A555.

Walukiewicz W. et al. On the optical evaluation of the Ј12 deep level concentration in semtinsulating GaAs // Appl. Phys. Lett. – 1983 a. – Vol. 43, № 2. – P. 192–194.

Figielski T. Compensation in GaAs crystals due to anti–structure disorder // Appl. Phys. – 1984. – Vol. 35A, № 4. – P. 255–261.

Kaufmann U. et al. ESR detection of antisite lattice defects in GaP, CdSiP2 and ZnGeP2 // Appl. Phys. Lett. – 1976. – Vol. 29, № 5. – P. 312–313.

Мартінайтіс С. і ін. Исследование поверхностных слоев на кристаллах теллурис–того кадмия // ФТТ. – 1960. – Т. 2, вып. 1. – С. 55–61.

Martinaitis A. et al. High temperature point defect equilibrium of undoped б–ЖnС2 at zinc pressure // Solid State Comm. – 1986. – Vol. 59, № 4. – P. 249–251.

Сакалас И., Ской С. Физические основы микротехнологии. М. // Мир. – 1985. – № 94. –С. 85

Рудь В.М., Масагутова Н.В. Электрические и люминесцентные свойства кристаллов теллурида кадмия, легированных кислородом // ФТП. – 1974. – Т. 8, вып. 2. – С. 317–320.

Грищенко В. Получение ZnSe p–типа путем ионного легирования мышья-ком // Краткие сообщ. по физ. – 1977. – № 6. – С. 30–33.

Глориозова Р. И. и др. К вопросу о природе некоторых электронных ловушек в арсениде галлия // ФТП. – 1984. – Т. 18, вып. 8. – С. 1450–1454.

Goltzene A. et al. Experimental evidence for an associated, defect model for the neutron generated AsGa center in gallium arsenide // Phys. status solidi (b). – 1984. – Vol. 123, № 2. – P. К125–К128.

Goltzene A. et al. Selective saturation of paramagnetic defects // J. Appl Phys. – 1985. – Vol. 57, № 12. – P. 5196–5193.

Pons D., Bourgoin J. C. Irradiation–induced defects in GaAs //J. Phys. C: Solid State Phys. – 1985. – Vol. 18, № 20. – P. 3839–3871.

Каменецкас І. М. и др. Краевая люминесценция кристаллов ZnTe при электронном возбуждении // ФТП. – 1979. – Т. 13, вып. 10. – С. 1966–1970.

Balchaitis A. Electrical transport and defect levels in ZnTe crystals // J. Appl. Phys. – 1973. – Vol. 44, № 2. – P. 843–847.

Балагурова Е.А. и др. Изменение механизма рассеяния в арсениде галлия л–типа с легированием // ФТП. – 1985. – Т. 19, вып. 9. – С. 1566–1570.

Schanabrook B.V. et al. Model for the ~ 1,28 eV double acceptor luminescence in GaAs // J. Appl. Phys. – 1986. – Vol. 59, № 7. – P. 2535–2537.

Shaw D., Whelan R.C. The dependence of Cd diffusion and electrical conductivity in CdS on Cd partial pressure and temperature // Phys. status solidi. – 1969. – Vol. 36, № 2. – P. 705–716.

Kumar V., Kroger F.A. Self–diffusion and the defect structure of cadmium sulphide // J. Solid State Chem. – 1971. – Vol. 3, № 3. – P. 387–400.

Vydyanadi H. R. et al. Iodine as a donor in CdS // Ibid. – 1973. – Vol. 34, № 8. – P. 476–486.

Mandel G. Self–compensation limited conductivity in binary semiconductors // Phys. Rev. – 1964. – Vol. 134, № 4A. – P. A1073–A1079.

Vydyanath H.R., Kroger F.A. The defect structure of silver–doped CdS // і Phys Chem Solids. – 1975. – Vol. 36, № 6. – P. 509–520.

Shaw D. The self–diffusion of Cd in CdS // J. Phys. C: Solid State Phys. – 1984. – Vol. 17, № 27. – P. 4759–4782.

Reynolds D. C. et al. Double acceрtоr–donor pair lines in cadmium sulphide // Solid State Comm. – 1975. – Vol. 17, № 1. – P. 15–18.

Henry C. H. et al. Donor–acceptor pair lines in cadmium sulphide // Phys. Rev. – 1969. – Vol. 183, № 3. – P. 798–806.

Yu J. L. Irradiation induced radiative centres in ZnTe // Solid State Comm. – 1980. – Vol. 34, № 4. – P. 261–263.

Hussein M. et al. Deep level transient spectroscopy of electron traps and sensitizing centres in undoped CdS single crystals // J. Appl. Phys. – 1981. – Vol. 52, № 1. – P. 261–268.

Hauffe K., Flindt H.G. Uber die elektrische Leitfahigkeit von Cadmiumselenid // Annalen der Physik. – 1955. – Bd 15, H 3–4. – S. 141–147.

Hung