G.H., Kroger F.A. High–temperature Hall effect measurements on cadmium sulphide in cadmium vapor // 3. Solid State Chem. – 1970. – Vol. 2, № 4. – P. 483–490.
Handros L.I. et al. Effect of component vapour pressure on electron concentration and mobility in CdS single crystals // Phys. status solidi (a). – 1974. – Vol. 24, № 2. – P. K167–K171.
Callister W.D. et al. Ніgh–temperatures defect equilibrium of cadmium selenide. // Solid State Chem. – 1972. – Vol. 5, № 3. – P. 369–381.
Рудь В., Санін А.А. Анизотропия фоточувствительности кристаллов CdP тетрагональной модификации // ФТП. – 1981. – Т. 15, вып. 6. – С. 1093–1098.
Whelan R.C., Slaw D. Evidence of a doubly ionized native donor in CdTe // Phys. status solidi. – 1968. – Vol. 29, № 1. – P. 145–152.
Zanio W. Electron–hole recombination statistics in semiconductors through flaws with many charge conditions // Phys. Rev. – 1958. – Vol. 109, № 4. – P. 1103–1115.
Lott K.P., Varvas J. A. Electrical conductivity of ZnS in additive coloration process // Phys. status solidi aX – 1973. – Vol. 15, № 1. – P. K51–K52.
Dieleman J. et al. Acceptor action of alkali metals in II–VI compounds as detected by elecspin resonance techniques // J. Chem. Phys. – 1966. – Vol. 45, № 9. – P. 3178–3184.
Smith F.T.J. Evidence for a native donor in ZnSe from high temperature electrical meas// Ibid. – 1969. – Vol. 7, № 24. – P. 1757–1761.
Jahn J.U. Untersuchung von Eigenstorstellen in ZnSe–Kristallen durch Leitfahigkeits–messungen im Hochtemperaturgleichgewicht // Nachrichtentechnik. – 1971. – Bd 21, Nr. 2. – S. 73–74.
Henneberg M.M., Stevenson D. A. Self diffusion on Zn and Se in ZnSe // Phys. status solidi (b). – 1971. – Vol. 48, № 1. – P. 25.
Кукк В., Палмре К.С. Полупроводниковая электроника // Киев. Наукова думка. – 1975. – 703 с.
Larsen T.L. et al. Electrical transport and photoelectronic properties of ZnTe:AI crys// Ibid. – 1972. – Vol. 43, № 1. – P. 172–182.
Бродин М. С. и др. Ассоциации дефектов в ZnTe // ФТП. – 1973. – Т. 7, вып. 5. – С. 997–999.
Taguchi T. Ionization energy of the complex acceptor in ZnTe // Phys. status solidi (b). – 1979. – Vol. 96, № 1. – P. K.33–K36.
Goltzene A. et al. Electrical behaviour of fast neutron irradiated semi–insulating GaAs during thermal recovery // Appl. Phys. Lett. – 1986 a. – Vol. 49, № 14. – P. 862 – 864.
Goltzene A. et al. Photoexcitation effects in semiinsulating GaAs as revealed by electron paramagnetic resonance // J. Appl. Phys. – 1986 b. – Vol. 59, № 8. – P. 2812–2816.
Taylor A.L. at al. Identification of Cd vacancies in neutron–irradiated CdS by electron paramagnetic resonancs // Solid State Comm. – 1971. – Vol. 9, № 13. – P. 945–947.
Чапнин И. и др. Особенности оптического и температурного гашения фототока в монокристаллам селенида цинка, связанные с наличием двух центров медленной рекомбинации // ФТП. – 1978. – Т. 12, вып. 5. – С. 1030.
Dziesiaty K.L., Backs B.P. Ohmic and acoustoelectric current in the Hall effect for the investigation of bipolar conductivity // Phys. status solidi (a). – 1977. – Vol. 39, № 2. – P. 601–605.
Schrittcnlacher W. Analysis of the hyperfine interactions of the vacancy–iodine complex in ZnSe // Phys. status solidi (b). – 1984. – Vol. 122, № 2. – P. 735–743.
Martinaitis A., Sakalas A. High temperature investigation of the Hall effect in p–CdSe in selenium vapour atmosphere // Phys. status solidi (a). – 1978. – Vol. 46, № 2. – P. K141 – K144.
Воеводин В. Г., Тернова Е. А. Энтальпия образования вакансий в соединениях A"B1VC2V // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. – 1985. – Т. 21, № 3. – С. 362–365.
Hurlc D. et al. Nature and distribution of electrically active defects in Si–implanted and lamp–annealed GaAs // J. Appl. Phys. – 1985. – Vol. 58, № 11. – P. 4216–4220.
Ланно К.С., Бургуен С. О природе люминесценции теллурида цинка в ближней ИК об-ласти спектра // ФТП. – 1974. – Т. 8, вып. 5. – С. 1018–1023.
