Технології, що застосовуються виробниками в даний час для поліпшення розглянутих параметрів, опишемо нижче.

Для збільшення кута огляду використовуються три типи технологій: TN + Film TFT (Twisted Nematic + Film), Super TFT (IPS, In-Plane Switching), MVA (Multi-Domain Vertical Alignment). У першій з названих технологій Film позначає застосування спеціального зовнішнього покриття, що дозволяє збільшити кут огляду до 140 градусів. До недоліків цієї технології варто віднести досить низьку контрастність зображення. Однак TN + Film TFT є найстаршою технологією при виробництві РК дисплеїв і в даний час застосовується в недорогих рішеннях.

Застосування технології Super TFT розширює видиму область до 170 градусів, завдяки впровадженню більш точного керування поляризацією рідких кристалів. Але такі монітори також мають низьку контрастність при збільшеному часі відгуку.
Шляхом поділу на області колірних елементів дисплея на внутрішній поверхні фільтрів для забезпечення можливості незалежного руху сусідніх рідких кристалів компанія Fujitsu домоглася кута огляду в 160 градусів, при часі відгуку в 12 мс. Відтінки кольору в цьому кутовому діапазоні однакові і не залежать від кута зору користувача. У цьому полягає суть технології MVA. Однак, незважаючи на переваги перед іншими технологіями, виробництво таких панелей є дорогим.

Ще одним способом підвищення якості РК панелей є застосування технології LTPS (Low Temperature Poly Silicon, низькотемпературна полікремнієва технологія). У цій технології використовується лазерне обпалювання, що дозволяє робити кристалізацію кремнієвої плівки при температурі менш 400°C. Полікристалічний кремній — матеріал на основі кремнію, що містить безліч кристалів кремнію розміром від 0,1 до декількох мікронів. При виробництві напівпровідників полікристалічний кремній звичайно виготовляється за допомогою хімічного осадження при низькому тиску з газоподібної фази, а потім обпалюється при температурі близько 10000C. Це так званий метод SPC (Solid Phase Crystallization, кристалізація твердої фази). Зазначений метод не може бути застосований при виробництві дисплеїв, тому що температура плавлення скла — близько 6500C. Розглянемо кілька методів формування LTPS-плівки на скляній чи пластиковій підкладці, що використовуються в даний час: l(Metal Induced Crystallization — кристалізація, викликана металом): цей метод схожий з методом SPC, на відміну від який можливе виробництво полікристалічного кремнію при більш низькій температурі (приблизно 500–6000C). Досягається це за рахунок металізації плівки перед обпалюванням. lCVD: у цьому випадку осаджується вже полікристалічна плівка, що надалі не піддається обпалюванню; у даний час температура, необхідна для цього процесу — менше 3000C.
l Лазерне обпалювання: це найпопулярніший у нинішній час метод. Як джерело енергії використовується ексимерний лазер. Він нагріває і розплавляє аморфний кремній з низьким вмістом водню. Пізніше цей кремній повторно кристалізується у вигляді полікристалічної плівки.
Очевидно, що виробництво LTPS-плівки більш складно, ніж плівки з аморфного кремнію, однак по заявах виробників, LTPS TFT мають у 100 разів велику надійність, чим TFT, виготовлені за аморфно-кремнієвою технологією.

Завдяки ще ряду переваг і методів, застосовуваних при виробництві LTPS TFT, стає можливим формувати безпосередньо на підкладці РКІ й інтегральні схеми драйверів. Це дозволяє істотно знизити кількість необхідних зовнішніх контактів і зменшити розміри самої підкладки. Це приводить до того, що необхідна надійність пристрою може бути досягнута при менших витратах, а отже, вартість усього виробу також буде нижче. Немаловажною особливістю є можливість підвищення апертурного коефіцієнта, що забезпечує збільшення області елемента, задіяного для пропускання світла, тим самим підвищується яскравість.

Практичні завдання З предмету: “Архітектура комп’ютерів”

Завдання 9

Знайти значення функції при заданих умовах.

(C-D)^(6+B) A<D

(A+7)D A=D

(8+C)\/A A>D

Числа A, B, C, D знаходяться відповідно у регістрах AL, BL, CL, DL і заносяться з відповідних комірок пам’яті 100A, 100B, 100C, 100D. Результат занести в стек, порт 33 і комірку 3313.

Розв’язок:

MOV AL,[100A] ;A

MOV BL, [100B] ;B

MOV CL, [100C] ;C

MOV DL, [100D] ;D

CMP AL,DL ;порівняння A i D

JB m1 ;перехід на виконання функції 1 якщо A<D

;якщо ні, то перевіряється наступна умова

JE m2 ;перехід на виконання функції 2 якщо A=D

;якщо ні, то виконується умова А>D і функція 3

;--------- функція 3

ADD CL,8 ;(8+C)

OR AL,CL ;(8+C)\/A

JMP v ;перехід на вивід результату обчислення функції 3

m1: ;--------- функція 1

SUB CL,DL ;(C-D)

NOT BL ;B

ADD BL,6 ;(B+6)

AND CL,BL ;(C-D)/\(B+6)

MOV AL,CL ;результат обчислення функції 1 заносимо в акумулятор

JMP v ;перехід на вивід результатів

m2: ;-------- функція 2

SUB DL,CL ;(D-C)

AND AL,DL ;(7+A)

v: ;---------вивід результатів

PUSH AX ;занесення у стек

OUT 33,AL ;у порт 33

MOV [3313],AL ;у комірку з адресою 3313

“Основи баз даних і знань”

Теоретичні питання “Основи баз даних і знань”

9. DML. Видалення даних

Видалення рядків з таблиці можна здійснити командою модифікації DELETE. Варто ураховувати, що вона може видаляти тільки цілі записи таблиці, а не індивідуальні значення того або іншого поля. З цієї причини для даного оператора параметр поля є неприступним. Наприклад, для видалення всього вмісту таблиці STUDENTS, можна скористатися наступним:

DELETE FROM STUDENTS;

В процесі роботи гущавині необхідно видаляти не всі дані, а тільки деякі певні рядки з таблиці. Для того щоб визначити, які рядки будуть видалені, використовують предикат, аналогічно тому, як це робиться для запитів. Наприклад, щоб видалити